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  • SI光電探測(cè)器 光敏面積4mm(二極管)

    SI光電探測(cè)器 光敏面積4mm(二極管) 應(yīng)用領(lǐng)域: 光纖通信、傳感、測(cè)距 可見光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè) 快速光脈沖檢測(cè) 各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

    更新時(shí)間:2024-12-05
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  • 6mm大光敏面硅(Si)光電探測(cè)器

    6mm大光敏面硅(Si)光電探測(cè)器 產(chǎn)品總覽 器件為硅PIN 光電二極管,在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

    更新時(shí)間:2024-12-05
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  • 8mm大光敏面(Si)硅光電探測(cè)器

    8mm大光敏面(Si)硅光電探測(cè)器 應(yīng)用領(lǐng)域: 光纖通信、傳感、測(cè)距 可見光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè) 快速光脈沖檢測(cè) 各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

    更新時(shí)間:2024-12-05
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • GAP2000/2.22.2um 擴(kuò)展型銦鎵砷InGaAs 光電二極管探測(cè)器GPD φ2mm

    2.2um 擴(kuò)展型銦鎵砷InGaAs 光電二極管探測(cè)器GPD φ2mm 2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管響應(yīng)截止波長(zhǎng)達(dá)到2.2um,提供了出色的分流電阻,并在帶寬范圍內(nèi)具有出色的響應(yīng)度。

    更新時(shí)間:2025-02-06
    產(chǎn)品型號(hào):GAP2000/2.2
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  • 銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測(cè)器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP3000/2.2

    銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測(cè)器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP3000/2.2 產(chǎn)品應(yīng)用: 氣體檢測(cè) 碳?xì)浠衔飩鞲? 紅外光譜 光譜學(xué) SWIR光電探測(cè)

    更新時(shí)間:2024-12-05
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